半橋電路在空載和輕載下采用不對(duì)稱發(fā)波方式，空載時(shí)，上管的占空比很小，甚至為0（下管和其互補(bǔ)），這樣LLC電路的下面的諧振電容電壓很低，導(dǎo)致下面的功率管導(dǎo)通時(shí)，流過(guò)諧振電感的電流不能反向，如圖15所示，在下管關(guān)斷后下管體二極管續(xù)流時(shí)，開通了上管，導(dǎo)致“瞬時(shí)直通”，直通電流被二極管強(qiáng)迫恢復(fù)關(guān)斷，在線路寄生電感上造成壓降，疊加在處于關(guān)斷態(tài)的下管。圖中的圓圈2，表明反向恢復(fù)態(tài)也存在直通可能，但電壓尖峰主要是圓圈1產(chǎn)生的。
“瞬時(shí)直通”主要的原因是功率管漏源電容瞬時(shí)充放電，反向二極管的反向恢復(fù)，減少功率管電壓尖峰可以采用漏源電容更小和恢復(fù)特性更好的功率管，可以在體二極管硬關(guān)斷時(shí)，更快消除直通電流，減少電壓尖峰。另一方面，如果減少上下管的導(dǎo)通死區(qū)時(shí)間，讓下管關(guān)斷后，二極管沒(méi)有完全導(dǎo)通時(shí)就開通上管，減少反向恢復(fù)電流（電流通過(guò)功率管本體然后功率管關(guān)斷比電流流過(guò)反向二極管后關(guān)斷的反向恢復(fù)電流要小），也可以到達(dá)降低電壓尖峰的目的。
圖15 空載上下管Vds和下管電流(1A/Div.)
（圖15中，電流正方向從下管D極流進(jìn)，“瞬時(shí)直通”前，電流為負(fù)(SgD)，表明上管開通時(shí)，下管確實(shí)處于續(xù)流。）
如下圖所示，死區(qū)時(shí)間190nS和120nS時(shí)，用帶統(tǒng)計(jì)功能的示波器TEKTRONIX754測(cè)試大約15分鐘，空載時(shí)下管的電壓尖峰如下圖。
圖16 死區(qū)190nS時(shí)的下管電壓尖峰
圖17 死區(qū)120nS時(shí)的下管電壓尖峰
圖18 死區(qū)120nS時(shí)的上管電壓尖峰
從測(cè)試結(jié)果看，死區(qū)時(shí)間減少到120nS，下管的電壓尖峰會(huì)從620V下降到496V，滿足540V的降額。
模塊如果工作在的在ZVS狀態(tài)，死區(qū)時(shí)間對(duì)模塊的功率管電壓應(yīng)力不會(huì)有影響，而如果模塊工作在非ZVS狀態(tài)，功率管和輸出二極管的電壓應(yīng)力以空載時(shí)最大，所以如果由于死區(qū)的改變導(dǎo)致功率管的ZVS狀態(tài)發(fā)現(xiàn)變化，同時(shí)也需要主要DC/DC輸出二極管的電壓應(yīng)力。
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